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漏源电压BV DSS (V)(Min.): | 600 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 83 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 99 |
最(zuì)大漏极电流Id(on)(A): | 40 |
通道极性: | N沟道 |
封(fēng)装/温度(℃): | TO-263-2L(D2PAK)/-55~125 |
描述: | 600V,99mΩ,40A,N沟道基于超级(jí)结技术的功率MOSFET |
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