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      漏源电压BV DSS (V)(Min.):

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

      83

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

      99

      最(zuì)大漏极电流Id(on)(A):

      40

      通道极性:

      N沟道

      封(fēng)装/温度(℃):

      TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

      描述:

      600V,99mΩ,40A,N沟道基于超级(jí)结技术的功率MOSFET



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